RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB против Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
38
Около 32% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.8
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
7.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
38
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
14.8
Скорость записи, Гб/сек
7.4
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1678
2843
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link