RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Vergleichen Sie
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Gesamtnote
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Gesamtnote
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
31
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.5
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.5
6.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.1
20.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.5
15.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2113
3649
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB RAM-Vergleiche
Mushkin 992018 (997018) 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link