Porównanie pamięci RAM Avant Technology F641GU67F9333G 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Wynik ogólny

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

28 31

Wokół strony 10% niższe opóźnienia

Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

20.5 11.1

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

15.5 6.5

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

25600 10600

Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Avant Technology F641GU67F9333G 8GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2113 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns