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Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Vergleichen Sie
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Gesamtnote
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,034.7
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
48
Rund um -85% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
48
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,295.1
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,034.7
11.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
650
2382
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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