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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Vergleichen Sie
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Gesamtnote
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
60
Rund um -114% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.8
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.4
5.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
14900
Rund um 1.14 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.8
13.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.4
10.4
Speicherbandbreite, mbps
14900
17000
Other
Beschreibung
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1411
2354
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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