RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Compara
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Puntuación global
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
60
En -114% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.8
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.4
5.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
14900
En 1.14 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
28
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
13.8
Velocidad de escritura, GB/s
5.4
10.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
17000
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1411
2354
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
AMD R748G2133U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.D2GG7.AU30B 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link