RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Vergleichen Sie
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB vs Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gesamtnote
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gesamtnote
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
38
Rund um 55% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
15.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
12.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
17
38
Lesegeschwindigkeit, GB/s
22.8
15.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.4
12.0
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3391
2283
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link