RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Rund um 1.51% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
33
Rund um -57% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.6
17.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.6
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
18.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
13.6
Speicherbandbreite, mbps
25600
17000
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
3243
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CM4B8G4J2400A16K2-ON 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-DA---------- 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link