RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB vs Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Gesamtnote
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
11.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
62
Rund um -107% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.6
2,378.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,670.6
11.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,378.6
6.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
861
1832
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB RAM-Vergleiche
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
SK Hynix CT102464BF160B.C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Corsair CMT32GX5M2B5200C38 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link