RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Vergleichen Sie
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Gesamtnote
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
65
Rund um -63% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
6.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
4.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6.1
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
4.2
14.0
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
985
2965
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB RAM-Vergleiche
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link