RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Porównaj
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
65
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
6.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
4.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
40
Prędkość odczytu, GB/s
6.1
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
4.2
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
985
2965
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CM3X1G1600C9 1GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2800 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link