RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
52
Rund um -117% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
1,479.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
52
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,226.4
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,479.2
8.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
590
2462
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link