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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Comparez
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB vs Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Note globale
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
52
Autour de -117% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.0
1,479.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
5300
Autour de 3.62 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
52
24
Vitesse de lecture, GB/s
4,226.4
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,479.2
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
19200
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
590
2462
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F2-5300PHU1-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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