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G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB vs Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
65
Rund um 34% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
6
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,960.1
2,451.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
43
65
Lesegeschwindigkeit, GB/s
6,465.2
4,605.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,960.1
2,451.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
6400
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1087
878
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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