G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB vs Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Gesamtnote
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G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB

G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB

Gesamtnote
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Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB

Unterschiede

G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    43 left arrow 65
    Rund um 34% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    6 left arrow 4
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,960.1 left arrow 2,451.8
    Durchschnittswert bei den Tests
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
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Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR2
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    43 left arrow 65
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    6,465.2 left arrow 4,605.9
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,960.1 left arrow 2,451.8
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 6400
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1087 left arrow 878
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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