RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Comparez
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB vs Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Note globale
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
Note globale
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
65
Autour de 34% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
6
4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,960.1
2,451.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR2
Latence dans PassMark, ns
43
65
Vitesse de lecture, GB/s
6,465.2
4,605.9
Vitesse d'écriture, GB/s
2,960.1
2,451.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
6400
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1087
878
G Skill Intl F2-9600CL6-2GBRH 2GB Comparaison des RAM
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston XJ69DF-MIE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link