RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
36
Rund um -44% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.6
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.1
8.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
36
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.8
19.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
15.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2481
3774
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F3-19200CL9-4GBZMD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB RAM-Vergleiche
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
SK Hynix HMT351U6AFR8C-H9 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0826190B 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link