RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
10.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
31
Rund um -7% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
13.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.9
10.2
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2735
2088
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB RAM-Vergleiche
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston RB16D3LS1KBG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link