RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сравнить
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.4
13.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
10.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
31
Около -7% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
29
Скорость чтения, Гб/сек
17.4
13.5
Скорость записи, Гб/сек
10.9
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2735
2088
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD32GX3M4A2400C10 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link