RAM-Vergleich G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

Gesamtnote

G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

14.3 12.8

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

28 39

Rund um -39% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

9.7 8.4

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

14200 12800

Rund um 1.11 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
Timings / Taktgeschwindigkeit

9-9-9-24 / 1600 MHz no data
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

2231 2650

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns