G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

-->

Средняя оценка

G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB

G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB

Средняя оценка

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

14.3 12.8

Среднее значение в тестах

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 39

Около -39% меньшая задержка
Выше скорость записи

9.7 8.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

14200 12800

Около 1.11 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C-RD 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

39 28
Скорость чтения, Гб/сек

14.3 12.8
Скорость записи, Гб/сек

8.4 9.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 14200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC3-14200, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz no data
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2231 2650

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB

Kingston 9965589-033.D00G 8GB

Kingston 9965589-033.D00G 8GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB

модули RAM

Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB

Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB

Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB

модули RAM

Catalyst 256NU8 256MB

Catalyst 256NU8 256MB

Kingston 9905678-177.A00G 8GB

Kingston 9905678-177.A00G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB

Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB

Mushkin MR[A/B]4U320LLLM8G 8GB

модули RAM

Mushkin 996902 2GB

Mushkin 996902 2GB

Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB

Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB

Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB

модули RAM

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Kingston 9905598-025.A00G 8GB

Kingston 9905598-025.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB

Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB

V-GEN D4H8GS24A8 8GB

V-GEN D4H8GS24A8 8GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB

Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB

Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB

модули RAM