RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
9.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
34
Rund um -21% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
13.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
9.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2968
1989
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
KingSpec KingSpec 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link