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G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Comparar
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Pontuação geral
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.8
13.2
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
9.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
34
Por volta de -21% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
34
28
Velocidade de leitura, GB/s
16.8
13.2
Velocidade de escrita, GB/s
11.3
9.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2968
1989
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
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