RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Gesamtnote
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Gesamtnote
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
37
Rund um 43% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
16
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
21
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.4
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.2
12.6
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3130
2808
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C16 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
AMD R7S44G2606U1S 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C16 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link