RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Porównaj
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
37
Wokół strony 43% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.4
16
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
12.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
21
37
Prędkość odczytu, GB/s
17.4
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
12.2
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3130
2808
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905678-029.A00G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link