RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Vergleichen Sie
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
14
19
Rund um 26% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
25.1
18.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.3
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
14
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
25.1
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.3
14.2
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
4182
3220
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
ASint Technology SLA304G08-GGNHM 4GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link