RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Porównaj
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
14
19
Wokół strony 26% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
25.1
18.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.3
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
14
19
Prędkość odczytu, GB/s
25.1
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
19.3
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
4182
3220
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M16FG 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link