RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
62
Rund um -77% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.6
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
11.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
2701
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FD 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GVR 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3000C15 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link