RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Porównaj
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Wynik ogólny
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
62
Wokół strony -77% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
1,843.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,556.6
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,843.6
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
542
2701
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Porównanie pamięci RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston HX432C15PB3/16G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link