RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
62
73
Rund um 15% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
73
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
8.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
1712
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZB 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link