RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Vergleichen Sie
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Gesamtnote
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gesamtnote
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
62
Rund um -148% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.7
1,843.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
62
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,556.6
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,843.6
10.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
542
2620
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB RAM-Vergleiche
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston X3XCFP-HYA 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link