Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    3 left arrow 14.5
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    25 left arrow 62
    Wokół strony -148% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    10.7 left arrow 1,843.6
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    19200 left arrow 6400
    Wokół strony 3 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    62 left arrow 25
  • Prędkość odczytu, GB/s
    3,556.6 left arrow 14.5
  • Prędkość zapisu, GB/s
    1,843.6 left arrow 10.7
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    542 left arrow 2620
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania