RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB vs Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
14.4
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
6.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR5
Latenzzeit in PassMark, ns
24
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.7
14.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.3
12.3
Speicherbandbreite, mbps
17000
19200
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
no data / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2256
3392
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Corsair CM4X16GD3200C16K2E 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link