RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB vs Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
6.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
17000
Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR5
Opóźnienie w PassMark, ns
24
24
Prędkość odczytu, GB/s
12.7
14.4
Prędkość zapisu, GB/s
6.3
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
19200
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
no data / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2256
3392
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRG 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link