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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Gesamtnote
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
34
Rund um -55% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.7
8.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.1
5.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C-H9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
34
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.6
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.8
13.1
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
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