RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
17
28
Rund um -65% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.9
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.0
9.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
17
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
20.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
16.0
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2329
3550
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link