RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
17
28
Autour de -65% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.9
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.0
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
17
Vitesse de lecture, GB/s
12.4
20.9
Vitesse d'écriture, GB/s
9.6
16.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2329
3550
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HD0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Corsair CMK128GX4M8X3800C19 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link