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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
64
Rund um 56% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.8
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
12800
Rund um 1.5 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
64
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.4
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
8.3
Speicherbandbreite, mbps
12800
19200
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2329
2052
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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