RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Gesamtnote
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
45
Rund um 36% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
7.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.1
11.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.8
8.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2177
2036
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM32G 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link