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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
45
En 36% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.1
11.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.5
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
29
45
Velocidad de lectura, GB/s
12.1
11.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2177
2036
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
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