RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
29
Rund um 10% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.8
12.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.2
7.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
10600
Rund um 2.01 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.3
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.4
10.2
Speicherbandbreite, mbps
10600
21300
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1678
2708
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-015.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G9E2 8GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link