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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB vs Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
29
Autour de 10% latence réduite
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.8
12.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.2
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C-H9 2GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.3
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
7.4
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1678
2708
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CAS Latency (CL) *
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