RAM-Vergleich Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB

Gesamtnote

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

23 30

Rund um -30% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

16.4 8.6

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

11.7 5.4

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 10600

Rund um 1.6 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1344 2575

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns