RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 против Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Средняя оценка
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
30
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
5.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
23
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
16.4
Скорость записи, Гб/сек
5.4
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1344
2575
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905711-015.A00G 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Kingston K821PJ-MID 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Infineon (Siemens) 64T32000HU3.7A 256MB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link