RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 против Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Средняя оценка
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
30
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
8.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
5.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
23
Скорость чтения, Гб/сек
8.6
16.4
Скорость записи, Гб/сек
5.4
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1344
2575
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 Сравнения RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KF560C40-16 16GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link