RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
65
73
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.7
1,592.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
73
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,580.8
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,592.0
5.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
572
1439
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FADG 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kllisre D4 8G 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link