RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Comparar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
65
73
Por volta de 11% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Relatar um erro
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
5.7
1,592.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
5300
Por volta de 3.62 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
65
73
Velocidade de leitura, GB/s
3,580.8
13.6
Velocidade de escrita, GB/s
1,592.0
5.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
19200
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
572
1439
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link