RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
25
Rund um 4% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.9
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
19.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
14.9
Speicherbandbreite, mbps
19200
21300
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3683
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston KHX1866C11D3/8G 8GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link