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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
60
Rund um 60% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
1,234.6
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
3200
Rund um 6% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
24
60
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
3,069.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
1,234.6
Speicherbandbreite, mbps
19200
3200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
3-3-3-12 / 400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
459
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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