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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Pontuação geral
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
60
Por volta de 60% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
1,234.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
3200
Por volta de 6% maior largura de banda
Razões a considerar
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
16
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR2
Latência em PassMark, ns
24
60
Velocidade de leitura, GB/s
16.0
3,069.5
Velocidade de escrita, GB/s
12.5
1,234.6
Largura de banda de memória, mbps
19200
3200
Other
Descrição
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tempos / Velocidade do relógio
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
3-3-3-12 / 400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2925
459
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB Comparações de RAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
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Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
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