RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
60
Wokół strony 60% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
1,234.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR2
Opóźnienie w PassMark, ns
24
60
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
3,069.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
1,234.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
3200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
3-3-3-12 / 400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
459
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BN 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
ASint Technology SLA302G08-GGNNG 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9965600-011.A01G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link