RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Rund um 1.13% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
24
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.5
16
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.0
12.5
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
14.0
Speicherbandbreite, mbps
19200
17000
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3263
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link